VLASTNÍ A NELASTNÍ POLOVODIČE

Elektrická vodivost polovodičů

U polovodičů existují dva typy vodivosti, tzv. vlastní a nevlastní vodivost. Vlastní (intrinsickou) vodivostí se vyznačují všechny polovodiče, nevlastní vodivost existuje jen u tzv. příměsových (dotovaných, extrinzických, nevlast­ních, legovaných) polovodičů.

Vlastní polovodiče

Dokonalý vlastní polovodič (dokonalý krystal bez poruch a příměsí) se v přírodě nevyskytuje, při pečlivé výrobě se mu však můžeme přiblížit. Vlastní (intrinzický) polovodič se podobá izolantu. Za teploty 0 K je vodivostní pás prázdný, tj. v polovodiči nejsou žádné volné elektrony, které by mohly vést proud. Vlivem teploty nebo jiného vnějšího vlivu však může elektron získat dostatečnou energii a "přeskočit" do vodivostního pásu. Hovoříme o tzv. ionizaci, k níž je nutné určité množství tzv.ionizační energie.  

Ionizační energie (užívá se i termín aktivační energie) je nutná k překonání zakázaného pásu a uvolnění elektronu z vazby, její velikost musí tedy být nejméně E_G. Elektron, který se uvolní, zanechá po sobě ve valenčním pásu atom postrádající jeden elektron (chová se potom jako kladný iont). Tento kladný iont se může zneutralizovat přijetím elektronu, který k němu přejde ze sousedního atomu. Tím se však z tohoto sousedního atomu stane kladný iont a může být opět zneutralizován příchodem dalšího elektronu. Vidíme, že atomy se jako pevná součást mřížky nepohybují, ale kladný náboj se může přemisťovat. Tento kladný náboj nazýváme díra. Přestože díra jako reálná částice neexistuje, je užitečné jí přiřadit některé vlastnosti materiální částice (podobné, jako má elektron, ale opačný náboj +q).

Obr. 2-4 Vznik páru elektron díra.

Ve vlastních polovodičích mohou tedy přenášet elektrický proud za teplot nad 0 K jednak volné elektrony ve vodivostním pásu (každý elektron přenáší náboj -q), jednak pohyblivé díry ve valenčním pásu (náboj +q).

Pro obě tyto  částice se užívá název nosiče (nebo nositelé) náboje. Protože současně vzniká volný elektron a pohyblivá díra, husto­ta elektronů se rovná hustotě děr:

( 2-2 )

kde     
n         je počet elektronů, 
p       je počet děr, 
n_i      je intrinzická koncentrace nosičů na jednotku objemu; podle soustavy SI  je to 1 m³, v praxi i v literatuře se však běžně používá 1 cm³.

Je užitečné si zapamatovat, že intrinzická koncentrace nosičů je při 300 K pro křemík 10¹⁶ m^-3 (10¹⁰ cm^-3) a pro  germanium 10¹⁹ m^-3 (10¹³ cm^-3), intrinzická koncentrace však silně závisí na teplotě. Proces uvolňování elektronů  při ionizaci atomů nezpůsobuje změnu výsledného náboje daného objemu polovodiče (po uvolněném elektronu zůs­tává v krystalové mřížce ionizovaný atom s kladným nábojem).

Vlastní polovodiče jsou tedy při teplotách kolem 300 K vodiče elektrického proudu, vlivem závislosti intrinzické  koncentrace na teplotě i jejich vodivost silně závisí na teplotě. Rozsah jejich měrných odporu je přibližně 10^-2 až 10⁹ Wcm (dobré vodiče mají měrný odpor  < 10^-6 Wcm, izolanty > 10¹⁴ Wcm).

Nevlastní polovodiče

Na elektrickou vodivost polovodičů mají výrazný vliv cizí atomy zabudované do krystalové mřížky (poruchy),  které jsou v reálném krystalu vždy přítomny. Příměsové atomy jsou do co nejčistšího materiálu zaváděny i uměle,  abychom získali materiál s vhodnými elektrickými vlastnostmi. Tento technologický postup, kdy se do základního  materiálu přidávají atomy cizích prvků, nazýváme dotování (nebo též dopování či legování; přidávaná látka se nazývá dopant či legura). Nejčastěji přitom vstupují atomy příměsí do krystalové mřížky jako náhrada některých původních atomů (tzv. substituce).

Polovodič typu N

Obr. 2-5 Příměsový polovodič typu N.

Je-li atom krystalové mřížky čtyřmocného prvku (prvku IV. skupiny - např. Si, Ge) nahrazen atomem pětimocné­ho prvku (prvku V. skupiny - např. P, As, Sb), pak čtyři z jeho valenčních elektronů se účastní vytvoření vazby se sousedními atomy, pak elektron je nadbytečný a je vázán  k atomu velmi slabě. Tento  elektron může být uvolněn  dodáním velmi malé (aktivační) aktivační energie a účastnit se vedení proudu. Typická hodnota aktivační energie je asi 0,05 eV pro běžné příměsi v Si; každá  příměs má svoji typickou  hodnotu aktivační energie.  Tuto energii elektron získá už  při nízkých teplotách, takže  při pokojové teplotě jsou téměř všechny atomy příměsi  ionizovány. Vznikají tak  kladné ionty příměsí, které zůstávají v mřížkových polohách, a volné elektrony. Proto se pětimocné příměsi nazývají donory (dodávají elektrony do vodivostního pásu). 

V pásovém diagramu vytvářejí donorové atomy tzv. donorovou hladinu (s energií E_D), která se nachází v zakázaném  pásu těsně pod dnem vodivostního pásu (E_C) - viz obr. 2-5. V polovodiči typu N (v polovodiči s elektronovou vodivostí) převažují jako nosiče proudu elektrony, nazýváme je proto majoritní nosiče.

Polovodič typu P

Podobně nahradíme-li atom krystalové mřížky čtyřmocného prvku atomem trojmocného prvku (prvku III. skupiny  - např. B, In, Ga, Al), pak se všechny tři jeho valenční elektrony účastní vazeb se sousedními atomy a čtvrtá zůstane neúplná. Stačí malá energie  k tomu (opět typická hodnota je  asi 0,05 eV pro Si), aby se některý z elektronů ze sousedních va­zeb uvolnil a zaplnil neúplnou  vazbu trojmocného atomu - tj.  trojmocný atom se ionizuje zá­porně a vytvoří v sousedství  "kladnou" díru (tj. nedostatek  jednoho elektronu). Tato díra se  může pohybovat
a umožnit tak  vedení proudu (působí-li na ni vnější elektrické pole). Trojmoc­né příměsi se nazývají akceptory (přijímají, lépe řečeno zachycují  elektrony z valenčního pásu).  V pásovém diagramu vytvářejí  akceptorové příměsi tzv. akcep­torovou hladinu (s energií E_A),

Obr. 2-6 Příměsový polovodič typu P.

ležící těsně nad stropem valenčního pásu (E_V) (viz obr. 2-6). Již za malé teploty jsou téměř všechny akceptorové  příměsi ionizovány a ve valenčním pásu jsou vytvořeny díry, které v polovodiči typu P (v polovodiči s děrovou vodi­vostí) převažují jako nosiče proudu - majoritními nosiči jsou zde díry.

Vodivost příměsových polovodičů (typu N a P) se nazývá souborně nevlastní (extrinzickou) vodivostí. Při ionizaci (aktivaci) příměsi vzniká jeden pohyblivý nosič a jeden nepohyblivý iont. Při ionizaci atomů ve vlastních  (intrinzických) polovodičích vzniká pohyblivý elektron a pohyblivá díra.

Případ vlastního polovodiče bez příměsi i případy čistě donorového nebo čistě akceptorového polovodiče (bez  příměsi opačného typu) jsou případy pouze teoretické, protože reálné technologické možnosti nám neumožňují tako­véto ideální polovodiče vyrobit.

Při zvyšování koncentrace příměsí se donorové nebo akceptorové hladiny štěpí - vznikají pásy příměsí. Při velké  koncentraci příměsí splývá akceptorova hladina s valenčním pásem a donorova hladina s vodivostním pásem - polovodič se chová jako kov (degenerovaný polovodič).

[MENU | LITERATURA | SYMBOLY]